HCIE:華為認證網(wǎng)絡互聯(lián)專家
l HCIE主要面向運營商的網(wǎng)絡設計與實施人員,**認證后,您將被證明已經(jīng)掌握面向運營商網(wǎng)絡的通用技術,并具備設計運營商網(wǎng)絡以及使用華為設備實施您的設計的能力。
l 對于希望**HCIE認證的考生,由于HCIE是面向運營商一級的學員的認證,其培訓組成比較復雜,華為公司建議您參加相應的各項單獨內容的培訓,并參加《構建運營級網(wǎng)絡》的考試。
l 在考試**后向華為公司申請參加相應試驗考試。
華為認證網(wǎng)絡工程師的特點
網(wǎng)絡工程師的特點:
1、技術性
這一點和軟件開發(fā)一樣,只要你把技術學好了,技術能達到20%,發(fā)展、待遇就能達到20%。至于有沒有技術,是可控的,你自己能把控的。
2、經(jīng)驗操作性
軟件開發(fā)是創(chuàng)造,網(wǎng)絡是操作;創(chuàng)造不容易(所以很多人從事不了,或者只能從事低端的代碼員),但是操作,就是時間和精力的累積。唯手熟爾。
3、行業(yè)標準性
思科、華為都有非常清晰,而且被社會廣泛認同的認證體系,你是華為的HCIE,那你必定是20%的行業(yè)人士。
4、再學習性
和軟件開發(fā)一樣,整個IT行業(yè)的技術更新都非??欤枰趯W習。和軟件開發(fā)不同的,軟件開發(fā)的學習都是自學;而網(wǎng)絡,比如HCIE,想**自己學考過的幾乎不可能。這么好處就來了,一個班,有人工作10年,有人工作5年,我們沒有工作,但我們學出來,基本上是在同一水平。沒有其他行業(yè)敢說,你沒有基礎,培訓出來就是專家。網(wǎng)絡不一樣,**hcie你就是專家。
HCNP認證課程內容
適合人群:
企業(yè)ICT技術管理人員和技術骨干等高素質網(wǎng)絡技術人才;
希望學習和掌握操作華為網(wǎng)絡設備組建安全、可靠、高效的大型路由、交換網(wǎng)絡的人士;
IP網(wǎng)絡調測工程師、IP網(wǎng)絡運維工程師、IP網(wǎng)絡設計工程師以及希望系統(tǒng)深入掌握路由交換接入以及IP承載網(wǎng)技術的人士。
就業(yè)方向:項目經(jīng)理、產品技術經(jīng)理、IDC機房代維工程師、網(wǎng)絡工程師、技術支持工程師、駐場運維服務工程師、售前工程師、售后工程師、企業(yè)網(wǎng)絡管理員等。
課程介紹:課程定位于中小型網(wǎng)絡的構建和管理,內容包括但不限于:網(wǎng)絡基礎知識,交換機和路由器原理,TCP/IP協(xié)議簇,路由協(xié)議,訪問控制,網(wǎng)絡故障的排除,華為路由交換(數(shù)通)設備的安裝和調試。
電腦內存知識:內存ddr4和ddr3的區(qū)別是什么?
占領市場多年的DDR3內存,以及去年開始普及且性能更強的DDR4內存,這就如同曾經(jīng)DDR2向DDR3過渡,新一代處理器平臺為了適應這新老交替的過渡的階段,同時集成了雙控制器,可分別兼容DDR3和DDR4內存。好了,進入正題,內存ddr4和ddr3的區(qū)別是什么?下面裝機之家來科普一下。
DDR3與DDR4外觀上的區(qū)別:
DDR3與DDR4外觀上的區(qū)別
仔細觀察,我們發(fā)現(xiàn)DDR4內存金手指變的彎曲了,并沒有沿用以往的直線設計。這樣做是為了改善以往平直的內存條在插拔時,摩擦力較大,有的時候會遇到難以插拔的情況。DDR4內存將下部設計為中間稍突出、邊緣變短的形狀,中央到邊緣平滑曲線過渡。此外,中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數(shù)量方面,普通DDR4內存有284個,而DDR3則是240個,當然我們沒必要去數(shù)這個,記住DDR4內存金手指是彎曲的就可以了。
下面再說說它們的參數(shù)差異:
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后,單條內存的容量**大可以達到DDR3內存的8倍之多。好比目前常見的單條8GB容量的DDR3(單顆芯片512MB,共16顆),DDR4則完全可以達到64GB,甚至128GB。而電壓方面,DDR4使用低于20nm的工藝來制造,電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低,因此功耗更低。
頻率和位寬決定了內存帶寬,帶寬越高內存性能就越強。DDR3內存?zhèn)鬏斔俾?*高到2800MHz(超頻的除外);而DDR4的傳輸速度從2133MHz起,**高可達4266MHz。很明顯DDR4內存能夠達到的帶寬更高。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超過70%。
此外還有一個重要參數(shù)就是內存的時序。一般在內存條的SPD中,數(shù)字“11-11-11-28”分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”, CAS Latency(簡稱CL值)是內存CAS延遲時間,RAS-to-CAS Delay(tRCD),內存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間; RAS Precharge Delay(tRP),內存行地址選通脈沖預充電時間; Row Active Delay(tRAS),內存行地址選通延遲。
常見的DDR3 1600的內存基本新裝的電腦都會使用的內存,時序分別是9-9-9-24,11-11-11-28也是很長見的。隨著內存的頻率越高時序也會有不同程度的提升,在DDR時代1G的默認時序一般是3-3-3-8,到現(xiàn)在**新的DDR4時序已經(jīng)升到了16-16-16-35。在同樣頻率設定下,14-14-14-34這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比16-16-16-35更高的內存性能,幅度在3-5%。
以上就是裝機之家分享的內存ddr4和ddr3的區(qū)別,希望能夠幫助到你。
擴展閱讀:內存DDR3與DDR4有什么不同之處 DDR4內存與DDR3內存大比較
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